Reaction iwe adehun Silicon Carbide Tile
Awọn anfani ti Reaction Bonded Silicon Carbide
1) Iwọn iwuwo kekere.
2) Idaabobo ipata.
3) Wọ resistance.
4) Oxidation resistance.
5) Abrasion resistance.
6) Idaabobo mọnamọna gbona ti o dara (nitori alasọdipúpọ igbona kekere ati imudara igbona giga).
7) Agbara ti o dara julọ ni iwọn otutu giga.
8) Iṣakoso onisẹpo to dara ti awọn apẹrẹ eka.
Wọ awọn ọja sooro: Ohun alumọni carbide awo, Silicon carbide brick, Pipe lining, Pipe Cone,cyclone, etc.
Awọn ohun-ọṣọ Kiln: Awo, Beam, Roller, Burner Nozzle, Yika tan ina, onigun ina, iho ina.Crucible, Sagger, ati be be lo.
Awọn miran: Desulfurization nozzles
Ohun elo ti Silicon Carbide Dide Reaction:
Awọn ohun alumọni ohun alumọni ti o ni ifarakanra ti fihan pe o jẹ yiyan ohun elo ti o tayọ fun awọn ohun elo yiya gẹgẹbi awọn laini paipu, awọn nozzles, awọn chokes iṣakoso ṣiṣan ati awọn paati yiya nla ni iwakusa ati awọn ile-iṣẹ miiran.
Ifilelẹ akọkọ
| Awọn ohun-ini | Awọn ẹya | SiSiC/RBSIC |
| Ìwọ̀n ńlá (SiC) | V01% | ≥85 |
| Olopobobo iwuwo | g/cm3 | 3.01 |
| Porosity ti o han gbangba | % | 0.1 |
| Modulu ti rupture ni 20 ℃ | Mpa | 250 |
| Modulus ti rupture ni 1200 ℃ | Mpa | 280 |
| Modulu ti rirọ ni 20 ℃ | Gpa | 330 |
| Egugun lile | Mpa * m1/2 | 3.3 |
| Imudara gbona ni 1200 ℃ | wm-1.k-1 | 45 |
| Imugboroosi gbona ni 1200 ℃ | a×10-6/℃ | 4.5 |
| Itoju mọnamọna gbona ni 1200 ℃ | O dara pupọ | |
| Olùsọdipúpọ ti ooru Ìtọjú | <0.9 | |
| Max.ṣiṣẹ otutu | ℃ | 1350 |
Iwọn
le ṣe adani gẹgẹbi awọn ibeere alabara.
Iṣẹ
A gba awọn ibere aṣa.
Ti o ba fẹ mọ alaye ọja diẹ sii, kaabọ lati kan si wa ati pe a yoo fun ọ ni ọja to dara julọ ati iṣẹ ti o dara julọ!
